Г. С. Патрин, И. А. Турпанов, В. И. Юшков, А. В. Кобяков, К. Г. Патрин, Г. Ю. Юркин, Я. А. Живая, “Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi”, Письма в ЖЭТФ, 2019, том 109, выпуск 5,страницы 325

Эта публикация цитируется в 3 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Влияние полупроводниковой прослойки на эффект положительного обменного смещения в трехслойной структуре CoNi/Si/FeNi

Г. С. Патрин^ab, И. А. Турпанов^a, В. И. Юшков^ba, А. В. Кобяков^ab, К. Г. Патрин^a, Г. Ю. Юркин^a, Я. А. Живая^a

^a Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
^b Институт физики им. Л. В. Киренского Федеральный исследовательский центр Красноярский научный центр Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований пленок в системе магнитожесткий ферромагнетик (CoNi) – магнитомягкий ферромагнетик (FeNi), взаимодействующих через немагнитную полупроводниковую прослойку кремния (Si). Проведены температурные и полевые исследования магнитных свойств пленочных структур с различными толщинами кремния. Обнаружено, что многослойная структура наряду со свойствами, присущими магнитным пружинам, проявляет эффект положительного обменного смещения, зависящим от толщины кремния.

Поступила в редакцию: 21.09.2018
Исправленный вариант: 14.12.2018
Принята в печать: 25.12.2018

DOI: 10.1134/S0370274X19050084