Ферромагнитное воздействие $\delta$-$<$Mn$>$-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме

Поляризационные свойства излучения нелегированной InGaAs квантовой ямы (КЯ) в InGaAs/GaAs гетероструктурах с $\delta$-<Mn>-слоем в GaAs барьере исследованы в широком диапазоне температур и магнитных полей. Найдено, что $s,p\text-d$ обменное взаимодействие носителей в КЯ с ионами Mn в $\delta$-слое ведет к ферромагнитному поведению как их зеемановского расщепления, так и спиновой поляризации (с температурой Кюри, характерной для $\delta$-<Mn>-слоя в GaAs барьере). В области низких температур ($T<20$ К) обнаружено насыщение поляризации спинов дырок, которое связано с их фермиевским вырождением.