RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2019, том 109, выпуск 8, страницы 552–556 (Mi jetpl5882)

Эта публикация цитируется в 1 статье

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Формирование фазы антиферромагнитного металла в допированном электронами оксиде Sr$_{0.98}$La$_{0.02}$MnO$_3$ по данным ЯМР $ ^{17}$O

З. Н. Волковаa, С. В. Верховскийa, А. П. Геращенкоa, А. Ю. Гермовa, К. Н. Михалевa, А. Ю. Якубовскийb, Е. И. Константиноваc, И. А. Леонидовc

a Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения РАН, 620108 Екатеринбург, Россия
b Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123182 Москва, Россия
c Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН, 620108 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Методом ядерного магнитного резонанса на ядрах $^{17}$O экспериментально исследовано распределение спиновой плотности коллективизированных электронов, $n_{eg}$, и их влияние на парные корреляции локализованных спинов $S(t_{2g})$ ионов Mn$^{4+}$ в кубическом антиферромагнетике Sr$_{1-x}$La$_x$MnO$_3$ ($x = 0.02$; $T_{\text{N}}=230$ K; магнитная структура G-типа). В парамагнитной фазе обнаружены области с $n_{eg} > x$, в которых локальная спиновая восприимчивость пар атомов Mn следует зависимости $\chi \sim (T - \Theta)^{-1}$ с $\Theta = 20(5)$ K, указывающей на рост в этих областях ферромагнитного типа cпиновых корреляций соседних магнитных ионов. С понижением температуры доля пар Mn–O–Mn ($n_{eg} > x$) увеличивается. Ниже $T_{\text{N}}$ взаимно-проникающие сетки связей Mn–O–Mn c различной концентрацией коллективизированных $e_g$ электронов формируют фазу антиферромагнитного металла. Обсуждается роль эффектов слабой локализации как основной причины магнитной неоднородности фазы антиферромагнитного металла в Sr$_{0.98}$La$_{0.02}$MnO$_3$.

Поступила в редакцию: 10.01.2019
Исправленный вариант: 05.03.2019
Принята в печать: 07.03.2019

DOI: 10.1134/S0370274X19080113


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, 109:8, 541–545

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024