AC и DC проводимость в структуре $n$-GaAs/AlAs с широкой квантовой ямой в режиме целочисленного квантового эффекта Холла

Проведены измерения стационарной (DC – direct current) $\sigma_{xx}^{dc}$ и высокочастотной (AC – alternating current) $\sigma^{ac}_{xx}=\sigma_1-i \sigma_2$ проводимостей в широкой (46 нм) квантовой яме GaAs с двухслойным распределением плотности электронов в режиме квантового эффекта Холла. В зависимости проводимости $\sigma_{xx}$ от магнитного поля обнаружены три серии осцилляций, связанных с переходами между уровнями Ландау симметричной (S) и антисимметричной (AS) подзон и переходами, связанные с их зеемановским расщеплением. Анализ частотной зависимости AC-проводимости и соотношения $\sigma_1 / \sigma_2$ показал, что в минимумах осцилляций проводимость имеет прыжковый характер.