Аннотация:
Метаморфные лазерные гетероструктуры In(Sb,As)/In$_{0.81}$Ga$_{0.19}$As/In$_{0.75}$Al$_{0.25}$As с составными квантовыми ямами InSb/InAs/InGaAs на основе субмонослойных вставок InSb в $10$ нм-InAs были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). В таких структурах без оптического резонатора продемонстрировано стимулированное излучение на длине волны $\lambda\sim 2.86 \,$мкм при температурах $10$–$60$ К в условиях оптической накачки. Пороговая плотность мощности накачки составила $\sim$ 5 кВт/см$^2$ при температуре $10$ К.
Поступила в редакцию: 02.08.2019 Исправленный вариант: 02.08.2019 Принята в печать: 05.08.2019