А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, Г. М. Гусев, Н. Н. Михайлов, “Микроволновое фотосопротивление двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, выпуск 2,страницы 107

Эта публикация цитируется в 7 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Микроволновое фотосопротивление двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме

А. С. Ярошевич^a, З. Д. Квон^ab, Г. М. Гусев^c, Н. Н. Михайлов^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo, 135960-170 Sao Paulo, SP, Brazil

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование вызванного воздействием излучения в диапазоне частот 110–169 ГГц микроволнового фотосопротивления двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме с инверсным спектром. Установлено два механизма формирования этого фотосопротивления: первый связан с переходами между дисперсионными ветками краевых токовых состояний, второй — с воздействием излучения на объем квантовой ямы.

Поступила в редакцию: 06.11.2019
Исправленный вариант: 06.12.2019
Принята в печать: 06.12.2019

DOI: 10.31857/S0370274X20020101