Эта публикация цитируется в 2 статьях

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Microstructural characterization of V-defects in InGaN/GaN multiquantum wells

H. Wang^a, G. Jin^a, Q. Tan<sup>ba

a</sup> Academy of Electronic Information and Electrical Engineering, Xiangnan University Chenzhou, 423000, China
^b Institute of Physics and Information Science, Hunan Normal University, Changsha, 410081, China

Поступила в редакцию: 27.12.2019
Исправленный вариант: 02.02.2020
Принята в печать: 02.02.2020

Язык публикации: английский

DOI: 10.31857/S0370274X20050045

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, 111:5, 264–267

Реферативные базы данных:

• 
• 
•