Отклик на субмиллиметровое излучение СИНИС приемника с электронным охлаждением

Экспериментально изучен отклик на субмиллиметровое излучение приемника, сформированного на кремниевой подложке в виде метаматериала – матрицы $10\times10$ разрезных колец, соединенных туннельными структурами сверхпроводник–изолятор–нормальный металл–изолятор–сверхпроводник (СИНИС). При малых по сравнению со сверхпроводящей щелью напряжениях электронная температура $T_e$ при температуре подложки $T \sim 0.1$ K равна $\sim 0.23$ K из-за перегрева паразитным излучением, при $0.3$ K $T_e \approx T$. В обоих случаях при росте напряжения $T_e$ снижается из-за электронного охлаждения и достигает $0.19$ K при напряжении, соответствующем максимальному отклику. При $T = 0.1$ K отклик в $5$–$6$ раз превышает отклик при $T \sim 0.3$ K. Таким образом, электронное охлаждение не обеспечивает такой же чувствительности приема, как и охлаждение приемника в целом.