И. Ю. Пашенькин, М. В. Сапожников, Н. С. Гусев, В. В. Рогов, Д. А. Татарский, А. А. Фраерман, М. Н. Волочаев, “Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB”, Письма в ЖЭТФ, 2020, том 111, выпуск 12,страницы 815

Эта публикация цитируется в 6 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Магнитоэлектрический эффект в туннельных магниторезистивных контактах CoFeB/MgO/CoFeB

И. Ю. Пашенькин^a, М. В. Сапожников^ab, Н. С. Гусев^a, В. В. Рогов^a, Д. А. Татарский^ba, А. А. Фраерман^a, М. Н. Волочаев^c

^a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Н. Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Н. Новгород, Россия
^c Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отделения РАН, 660036 Красноярск, Россия

Аннотация: Исследована возможность электрического управления межслоевым обменным взаимодействием в туннельных контактах CoFeB/MgO/CoFeB, демонстрирующих магнетосопротивление величиной $\sim$ 200 %. Показано, что увеличение приложенного напряжения с 50 мВ до 1.25 В приводит к сдвигу кривой намагничивания свободного слоя на 10 Э при плотности протекающего тока ${\sim}$10$^3\,$А/см$^2$. Обнаруженный эффект может быть использован при разработке энергоэффективной магниторезистивной памяти с произвольным доступом.

Поступила в редакцию: 27.04.2020
Исправленный вариант: 01.05.2020
Принята в печать: 01.05.2020

DOI: 10.31857/S1234567820120058