RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2020, том 112, выпуск 1, страницы 54–61 (Mi jetpl6209)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Нелинейные AC и DC проводимости в двухподзонной структуре $n$-GaAs/AlAs

И. Л. Дричкоa, И. Ю. Смирновa, А. К. Бакаровb, А. А. Быковb, А. А. Дмитриевc, Ю. М. Гальперинad

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия
d Department of Physics, University of Oslo, P. O. Box 1048 Blindern, 0316 Oslo, Norway

Аннотация: Изучeны DC и AC проводимости структуры $n$-GaAs/AlAs с двумя заполненными уровнями пространственного квантования в широком интервале магнитных полей. Электронный спектр такой структуры характеризуется двумя подзонами (симметричной $S$ и антисимметричной $AS$), разделенными энергетической щелью $\Delta_{12}=15.5$ мэВ. Показано, что в линейном режиме в магнитных полях $B > 3$ Tл наблюдаются осцилляции, соответствующие режиму целочисленного квантового эффекта Холла (ЦКЭХ), сложная картина которых хорошо объясняется переходами между уровнями Ландау различных подзон. В магнитных полях $B <1$ Тл наблюдаются межподзонные осцилляции (MISO). Рост проводимости при увеличении тока через образец или интенсивности поверхностной акустической волны (ПАВ) в режиме ЦКЭХ определяется ростом температуры электронного газа. При межподзонных переходах установлено, что механизм нелинейности не сводится к разогреву, причем уменьшение АС проводимости при росте напряженности электрического поля ПАВ не зависит от частоты, но и не совпадает с характером зависимости DC проводимости от холловского напряжения $E_y$.

Поступила в редакцию: 30.04.2020
Исправленный вариант: 19.05.2020
Принята в печать: 19.05.2020

DOI: 10.31857/S123456782013008X


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, 112:1, 45–52

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024