RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2020, том 112, выпуск 2, страницы 112–113 (Mi jetpl6219)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination

A. V. Inyushkina, A. N. Taldenkova, D. A. Chernodubova, V. V. Voronenkovb, Yu. G. Shretercb

a National Research Center Kurchatov Institute, 123182 Moscow, Russia
b Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
c Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, 195251 St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19.05.2020
Исправленный вариант: 01.06.2020
Принята в печать: 02.06.2020

Язык публикации: английский

DOI: 10.31857/S1234567820140086


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, 112:2, 106–111

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024