Эта публикация цитируется в 4 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Microstructure and formation mechanism of V-defects in the InGaN/GaN multiple quantum wells with a high in content

H. Wang^a, Q. Tan^ba, X. He<sup>a

a</sup> Academy of Electronic Information and Electrical Engineering, Xiangnan University, 423000 Chenzhou, China
^b Institute of Physics and Information Science, Hunan Normal University, 410081 Changsha, China

Поступила в редакцию: 02.06.2020
Исправленный вариант: 19.06.2020
Принята в печать: 19.06.2020

Язык публикации: английский

DOI: 10.31857/S1234567820150057

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, 112:3, 157–160

Реферативные базы данных:

• 
•