RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2020, том 112, выпуск 4, страницы 246–250 (Mi jetpl6238)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Локализация экситонов на плоских дефектах в полупроводниковых кристаллах

М. М. Махмудианab, А. В. Чапликab

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Теоретически исследованы локализованные состояния экситона большого радиуса на плоском короткодействующем дефекте, который моделируется потенциалом $-V\delta(z)$. Отношение амплитуды $V$ к $e^2/\varepsilon$ ($\varepsilon$ – диэлектрическая постоянная) определяет два асимптотических режима – слабая или сильная локализация. В обоих случаях радиационное время жизни экситона увеличивается с ростом $V$ по степенным законам: $V^{1/4}$ в случае слабой и $V$ в случае сильной локализации.

Поступила в редакцию: 18.06.2020
Исправленный вариант: 27.06.2020
Принята в печать: 10.07.2020

DOI: 10.31857/S1234567820160053


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, 112:4, 230–233

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024