Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te(In) в терагерцовой спектральной области

Исследована спектральная зависимость сигнала фотопроводимости в легированном узкощелевом полупроводнике $\rm Pb_{0.75}Sn_{0.25}Te(In)$ при температурах 4.2–30 К при воздействии импульсов терагерцового лазерного излучения. Показано, что спектр фотопроводимости полупроводника простирается, по крайней мере, до длины волны 500 мкм. Эта величина более чем в два раза превышает длину волны красной границы фотоэффекта для наиболее длинноволновых из известных высокочувствительных фотонных приемников излучения на основе одноосно легированного Ge(Ga) – 220 мкм. Обсуждаются механизмы, ответственные за фоточувствительность PbSnTe(In) в терагерцовой спектральной области.