RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2020, том 112, выпуск 6, страницы 379–386 (Mi jetpl6259)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Наномасштабные тепловые эффекты второго порядка в мемристивных структурах на основе поли-$n$-ксилилена

А. Н. Мацукатоваab, А. В. Емельяновac, А. А. Миннехановa, В. А. Деминa, В. В. Рыльковda, П. А. Форшac, П. К. Кашкаровbcae

a Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123098 Москва, Россия
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
c Московский физико-технический институт, 141701 Долгопрудный, Россия
d Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Россия
e Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 С.-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые обнаружены эффекты резистивного переключения второго порядка в мемристорах на основе поли-$n$-ксилилена. Показано, что данные мемристивные структуры представляют собой динамическую систему, поведение которой существенно зависит от кратковременных эффектов второго порядка. А именно, при подаче парных импульсов (необязательно одной полярности) с определенной задержкой наблюдается уменьшение времени переключения мемристивных структур. Эффекты второго порядка объяснены увеличением локальной температуры металлического проводящего мостика вследствие джоулева нагрева. Разработана численная трехмерная динамическая модель, основанная на учете дрейфа-диффузии ионов металла в полимерной матрице, экспериментально наблюдаемые эффекты подтверждены в рамках данной модели. Полученные результаты демонстрируют возможность использования обнаруженных эффектов при построении нейроморфных вычислительных систем.

Поступила в редакцию: 18.08.2020
Исправленный вариант: 18.08.2020
Принята в печать: 27.08.2020

DOI: 10.31857/S123456782018007X


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2020, 112:6, 357–363

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024