Влияние лазерного излучения вблизи 1.5 мкм на параметры фотолюминесценции ансамбля NV-центров в алмазе

Экспериментально исследовано влияние лазерного излучения с длиной волны вблизи 1.55 мкм на фотолюминесцентные свойства центров окраски “азот-вакансия” (NV) в алмазе. Под воздействием инфракрасного лазера в ансамбле NV-центров происходит перераспределение спектральной интенсивности фотолюминесценции, вызванное влиянием излучения на зарядовое состояние центров окраски. При этом в случае нейтрально заряженных NV-центров наблюдалось гашение фотолюминесценции, которое достигало $\sim$ 60 %. Отличительной особенностью лазерного возбуждения NV-центров данным методом является отсутствие конкуренции со стороны процессов стимулированной эмиссии и двухфотонного возбуждения, которая наблюдается с увеличением мощности инфракрасного излучения на других длинах волн.