Аннотация:
На кристаллах, содержащих ростовые дефекты, удалось воспроизвести режим “burst-like growth” — резкое ускорениe роста граней. Это подтвердило гипотезу об одинаковости физических механизмов, ответственных за переход граней в состояние аномально быстрого роста при высоких и низких температурах. Выяснено, что переход от быстрой кинетики роста граней кристалла к медленной происходит скачком. Обнаружена схожесть процесса релаксации кинетического коэффициента роста с релаксацией упругих модулей кристалла по завершении этапа быстрого роста. Определены кинетические коэффициенты роста на этапах быстрого и медленного роста.
Поступила в редакцию: 15.11.2020 Исправленный вариант: 20.11.2020 Принята в печать: 21.11.2020