Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe

Исследована терагерцовая фотопроводимость узкозонных твердых растворов Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, обусловленная вакансиями ртути – мелкими двухзарядными акцепторами. Выполнены расчеты дискретного спектра вакансий ртути и матричных элементов оптических переходов с основного на возбужденные состояния в модели, учитывающей влияние зоны проводимости и модельный потенциал центральной ячейки. Обнаружены возбужденные состояния с малой энергией ионизации, сформированные преимущественно состояниями легких дырок, которым соответствуют большие значения матричных элементов оптических переходов из основных состояний, и показано, что наблюдаемые линии в спектре фотопроводимости обусловлены переходами на такие состояния как для нейтрального, так и для однократно ионизованного акцептора, а не переходами в континуум валентной зоны.