RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2021, том 113, выпуск 8, страницы 495–500 (Mi jetpl6403)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Генерация массива двулучепреломляющих нанорешеток в объеме флюорита под действием ультракоротких лазерных импульсов варьируемой длительности

С. И. Кудряшовa, П. А. Даниловa, М. П. Смаевab, А. Е. Рупасовa, А. С. Золотькоa, А. А. Ионинa, Р. А. Заколдаевc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
b Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева, 125047 Москва, Россия
c Университет ИТМО, 197101 С.-Петербург, Россия

Аннотация: Впервые в объеме пластины флюорита получены двулучепреломляющие микроструктуры, записанные на фиксированной глубине под действием лазерных импульсов с длиной волны 1030 нм, варьируемой длительностью 0.3–3.8 пс и энергией импульсов лазерного излучения. Для всех длительностей лазерных импульсов установлены монотонные восходящие зависимости фазового сдвига в микроструктурах для ортогональных поляризаций в зависимости от энергии/интенсивности излучения. Предложен механизм формирования двулучепреломляющих микроструктур при отражении лазерных импульсов вблизи фокальной области от объемной околокритической плазмы с формированием перед плазмой вдоль оптической оси стоячей электромагнитной волны, так что данная волна фиксируется в материале в виде массивов наноструктурированных плоскостей (нанорешеток) с ориентацией штрихов локальной модификации материала и его показателя преломления перпендикулярно лазерной поляризации. В рамках данного механизма описывается экспериментально наблюдаемый сублинейный рост фазового сдвига в двулучепреломляющих микроструктурах при увеличении энергии/интенсивности лазерного излучения.

Поступила в редакцию: 11.03.2021
Исправленный вариант: 15.03.2021
Принята в печать: 15.03.2021

DOI: 10.31857/S1234567821080012


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2021, 113:8, 493–497

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024