Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла

Обнаружено, что встраивание слоев квантовых точек Ge/Si в двумерный фотонный кристалл (ФК) приводит к многократному (до 5 раз) усилению фототока в ближнем инфракрасном диапазоне. ФК представлял собой регулярную треугольную решетку отверстий в гетероструктуре Si/Ge/Si, выращенной на подложке кремний-на-изоляторе. Результаты объяснены возбуждением падающей световой волной планарных мод ФК, распростаняющихся вдоль слоев Ge/Si и эффективно взаимодействущих с межзонными переходами в квантовых точках.