RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2021, том 113, выпуск 8, страницы 507–513 (Mi jetpl6405)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN

Е. А. Европейцев, Ю. М. Серов, Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, Т. В. Шубина, А. А. Торопов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована кинетика затухания низкотемпературной экситонной фотолюминесценции в гетероструктуре с множественными квантовыми ямами GaN/AlN монослойной толщины, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии. В рамках трехуровневой модели выполнено теоретическое моделирование измеренных кривых затухания излучения. Процесс релаксации дипольно-разрешенных “светлых” экситонов, пространственно ограниченных в монослоях GaN, определен как экситонная релаксация с характерным временем $\sim$ 3 пс, сопровождающаяся переворотом спина и превращением в дипольно-запрещенные “темные” экситоны, уровни которых расположены на $\sim$ 60 мэВ ниже по энергии. Показан двумерный характер экситонных состояний при температурах выше 50 К.

Поступила в редакцию: 17.03.2021
Исправленный вариант: 17.03.2021
Принята в печать: 17.03.2021

DOI: 10.31857/S1234567821080036


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2021, 113:8, 504–509

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024