Роли элементов гетероструктуры на основе топологической фазы Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в эффекте $PT$-симметричной терагерцовой фотопроводимости

В работе продемонстрировано, что $PT$-симметричная терагерцовая фотопроводимость, наблюдаемая в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te, находящихся в топологической фазе, связана с фотовозбуждением носителей заряда в объеме пленки. В то же время местом локализации эффекта является гетероинтерфейс топологическая пленка – тривиальный буферный слой. Обсуждается модель, описывающая такое пространственное разделение источника неравновесных носителей заряда и места проявления эффекта.