Роль интерфейсов в формировании тензора диэлектрической проницаемости тонких слоев ферромагнитного металла

Из экспериментальных работ известно, что компоненты тензора диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ зависят от толщин слоев многослойных тонких пленок, а при нанометровых слоях необходимо дополнительно учитывать межслоевые интерфейсы. Данная работа посвящена ответу на вопрос, с чем связано влияние данных интерфейсов на свойства пленок. Показано, что вклад межзонных матричных элементов для ферромагнитных пленок, имеющих недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости, определяет соотношение между диагональной и недиагональной компонентами тензора $\varepsilon$ при толщинах ферромагнитного слоя порядка 10 нм.