Андерсоновская локализация в двумерной электронно-дырочной системе

В сильно разупорядоченной двумерной электронно-дырочной системе в квантовой яме на основе HgTe обнаружена андерсоновская локализация, поведение которой принципиальным образом отличается от наблюдаемого в широко изученных двумерных однокомпонентных электронных и дырочных системах. Установлено, что в системе происходит двухступенчатая локализация: первыми локализуются двумерные дырки, как частицы с почти на порядок большей эффективной массой, чем у электронов. Затем происходит локализация электронов. Также найдено, что в исследуемой системе отсутствует переход металл-изолятор: даже при значениях проводимости $\sigma > e^2/h$ наблюдается диэлектрическая температурная зависимость. Полученные результаты впервые поднимают вопрос о характере андерсоновской локализации в двумерной электронно-дырочной системе.