Относительно высокой чувствительности заселенности колебательных уровней в лазерно-охлаждаемых молекулах к интенсивности излучения

Особенности электронной структуры лазерно-охлаждаемых молекул могут использоваться для достижения высокой чувствительности к интенсивности излучения путем измерения заселенности колебательных уровней в таких молекулах. В настоящей статье мы указываем на перспективы измерения интенсивности излучения с высокой точностью с использованием лазерно-охлаждаемых молекул.