Формирование люминесцентных структур при облучении тонких пленок a-Si:H-Er лазерными импульсами фемтосекундной длительности

Исследован процесс внедрения эрбия в кремний при облучении лазерными импульсами фемтосекундной длительности многослойной пленки, состоящей из слоев Er и a-Si:H. Рассмотрено влияние плотности энергии лазерного излучения на фазовый состав и интенсивность сигнала фотолюминесценции экспонированных областей, а также проведено сравнение методов термического и фемтосекундного лазерного легирования пленок. Полученные результаты могут быть полезны для разработки перспективных оптоэлектронных устройств на основе структур Si:Er.