RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2022, том 116, выпуск 3, страницы 159–170 (Mi jetpl6725)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Уплощение зон и слияние уровней Ландау в сильно коррелированных двумерных электронных системах (Миниобзор)

В. Т. Долгополовa, М. Ю. Мельниковa, А. А. Шашкинa, С. В. Кравченкоb

a Институт физики твердого тела, 142432 Черноголовка, Россия
b Physics Department, Northeastern University, Boston, Massachusetts 02115, USA

Аннотация: В этом обзоре мы обсуждаем недавние экспериментальные результаты, указывающие на уплощение зон и слияние уровней Ландау на уровне химического потенциала в сильно коррелированных двумерных (2D) электронных системах. В сверхчистой сильно взаимодействующей двумерной электронной системе в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe эффективная масса электрона на уровне Ферми монотонно возрастает во всем диапазоне электронных плотностей, в то время как усредненная по энергии масса насыщается при низких плотностях. Качественно различное поведение двух масс в этой электронной системе указывает на вызванное межэлектронным взаимодействием уплощение одночастичного спектра на уровне химического потенциала, при котором происходит “коденсация” электронов на уровне Ферми в диапазоне импульсов, в отличие от конденсации бозонов. В сильных магнитных полях, перпендикулярных двумерному электронному слою, аналогичный эффект разного заполнения квантовых уровней на уровне химического потенциала — слияние расщепленных по спину и долине уровней Ландау — наблюдается в инверсионных слоях на поверхности кремния и в двухслойных двумерных электронных системах на основе GaAs. Эксперименты также указывают на слияние квантовых уровней композитных фермионов с разными долинными индексами в сверхчистых квантовых ямах SiGe/Si/SiGe.

Поступила в редакцию: 27.04.2022
Исправленный вариант: 10.06.2022
Принята в печать: 21.06.2022

DOI: 10.31857/S1234567822150058


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2022, 116:3, 156–166


© МИАН, 2024