Расчет дискретных и резонансных уровней акцепторов в узкозонных твердых растворах CdHgTe

Проведены расчеты волновых функций электрона в поле однозарядного акцептора в узкозонных твердых растворах CdHgTe с учетом потенциала центральной ячейки. Путем аппроксимации результатов расчетов получено аналитическое выражение для значений энергии наиболее глубоких локализованных и резонансных состояний при различных значениях параметров потенциала центральной ячейки и доли кадмия в твердом растворе. Полученные зависимости могут быть использованы при идентификации акцепторных примесей в CdHgTe, в частности, мышьяка, как наиболее перспективного допанта для структур $p$-типа.