Многоямный потенциал в квантовом точечном контакте траншейного типа

Рассматривается физический механизм, объясняющий возникновение многоканального режима электронного транспорта в квантовых точечных контактах траншейного типа. Показано, что перераспределение электронов в двумерном электронном газе, обусловленное их кулоновским взаимодействием между собой, а также с заряженными донорами и Х-долинными электронами, приводит к появлению многоканальности, наблюдаемой экспериментально. Результаты численного моделирования перераспределения электронов и их сравнение с экспериментальными измерениями кондактанса квантовых точечных контактов траншейного типа, изготовленного на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs, демонстрируют формирование многоямного ограничивающего потенциала.