Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe

Исследованы концентрационные зависимости расщепления основных линий магнитопоглощения в нелегированных двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe $p$-типа. Анализ расщепления линий магнитопоглощения, выполненный на основе самосогласованных расчетов зонной структуры, позволил конкретизировать природу структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe, а также определить вклады, обусловленные встроенным электрическим полем, различием толщин квантовых ям и порядка их расположения в структуре. Различие экспериментальных величин расщепления “нулевых” уровней Ландау, извлеченных из анализа двух типов линий, указывает на влияние многочастичных эффектов на энергии переходов между уровнями Ландау.