Эта публикация цитируется в
1 статье
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Диаграммы Ванье для полупроводникового искусственного графена
О. А. Ткаченкоa,
В. А. Ткаченкоab,
Д. Г. Бакшеевb,
О. П. Сушковc a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c University of New South Wales, 2052 Sydney, Australia
Аннотация:
Промоделирован квантовый транспорт в полупроводниковых гексагональных решетках антиточек с периодом 80 нм и коротковолновым беспорядком. Вычислены карты плотности состояний
$\mathrm{DoS}$ как функции от напряженности магнитного поля
$B$ и концентрации электронов
$n$ (диаграммы Ванье) для нескольких амплитуд модуляции потенциала, сравнимых или существенно больше энергии Ферми. Глубокие провалы плотности состояний на картах имеют вид лучей положительного, нулевого и отрицательного наклона. Помимо веера лучей, разделяющих первый и второй, второй и третий уровни Ландау, на картах есть лучи им параллельные, сдвинутые по вертикали и горизонтали на целое число характерных значений концентрации
$n_0$ и магнитного поля
$B_0$. Показано, что знак и величина наклона лучей
$\mathrm{DoS}$ соответствуют центрам плато квантованных холловских сопротивлений
$R_{xy}$. Яркими проявлениями решетки на картах
$R_{xy}(n,B)$ являются реплики первого и второго плато
$R_{xy}$ и осцилляции
$R_{xy}$ между отрицательными и положительными значениями при фиксированном магнитном поле или концентрации, что говорит о смене дырочного и электронного типа носителей.
Поступила в редакцию: 19.09.2022
Исправленный вариант: 19.09.2022
Принята в печать: 21.09.2022
DOI:
10.31857/S1234567822210091