Влияние беспорядка на магнитотранспорт в полупроводниковом искусственном графене

В рамках формализма Ландауэра–Бьюттикера промоделирован магнитотранспорт в мезоскопических образцах с полупроводниковым искусственным графеном. Модельные четырехтерминальные системы в высокоподвижном двумерном электронном газе имеют форму квадрата размером $3\div 5$ мкм, который заполнен короткопериодной ($120$ нм) слабо разупорядоченной треугольной решеткой антиточек при амплитуде модуляции электростатического потенциала, сравнимой с энергией Ферми. Обнаружено, что при концентрациях носителей в решетке ниже точки Дирака $n<n_{1D}$ в холловском сопротивлении $R_{xy}(B)$ в диапазоне магнитных полей $B=10\div50$ мТл возникает плато дырочного типа $R_{xy}=-R_0$, а при $n>n_{1D}$ плато электронного типа $R_{xy}=R_0$, где $R_0=h/2e^2=12.9$ кОм. С усилением беспорядка плато разрушаются, но тип носителей (электроны или дырки) сохраняется. При низких магнитных полях длинноволновой беспорядок подавляет плато квантованных сопротивлений гораздо эффективнее, чем коротковолновый.