Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах ${\rm A^V_2\rm B^{VI}_3}$

Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений $\rm A^V_2 \rm B^{VI}_3$, содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi$_2$Te$_3$, Bi$_2$Se$_3$ и Sb$_2$Te$_3$ и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа “оборванной связи” на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности.