В каком магнитном поле рождается краевой магнитоплазмон?

Методом оптического детектирования резонансного микроволнового поглощения исследовано поведение магнитоплазменных мод в высококачественных двумерных электронных системах (ДЭС) на базе AlGaAs/GaAs гетероструктур с мезой в форме диска. Путем анализа магнитодисперсионной зависимости удается установить значение магнитного поля, при котором вдоль края ДЭС образуется двумерный “скин-слой” и, как следствие, магнитоплазменная мода приобретает краевой характер. Исследовано поведение этого значения магнитного поля в зависимости от электронной плотности ДЭС. Разработана модель для описания полученных экспериментальных результатов.