Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек

Исследована микрофотолюминесценция GaN/AlN квантовых точек, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках вдоль оси (0001). Номинальное количество осажденного GaN варьировалось от 1 до 4 монослоев для получения квантовых точек с различным средним размером и плотностью. Плотность квантовых точек составляла около 10$^{11}$ см$^{-2}$, таким образом, около 10$^3$ квантовых точек возбуждалось в экспериментах. Фотолюминесценция квантовых точек линейно поляризована, наибольшая степень поляризации (15%) наблюдалась для образца с наименьшим количеством осажденного GaN. Интенсивность фотолюминесценции этого образца уменьшается на более чем два порядка величины в течение около 30 мин при непрерывном лазерном возбуждении, после чего стабилизируется. Интенсивность фотолюминесценции остальных образцов остается постоянной при непрерывном возбуждении. Мы полагаем, что достаточно высокая степень поляризации вызвана анизотропией напряжений и формы квантовых точек, образованных вблизи дислокаций, которые также действуют как центры безызлучательной рекомбинации.