RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2010, том 91, выпуск 9, страницы 524–526 (Mi jetpl713)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Индуцированный высоким давлением метамагнитный переход в ферромагнитном полупроводнике Cd$_{0.7}$Mn$_{0.3}$GeAs$_2$

А. Ю. Моллаевa, И. К. Камиловa, Р. К. Арслановa, Т. Р. Арслановa, У. З. Залибековa, В. М. Новоторцевb, С. Ф. Маренкинb

a Учреждение РАН Институт физики Дагестанского научного центра РАН
b Учреждение РАН Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН

Аннотация: Измерены зависимости магнитной восприимчивости $\chi/\chi_o$, продольного $(\Delta\rho_{zz}/\rho_o)$ и поперечного $(\Delta\rho_{xx}/\rho_o)$ магнетосопротивления от гидростатического давления $P\leq7\,$ГПа при комнатной температуре в высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике $\rm Cd_{0.7}Mn_{0.3}GeAs_2$ со структурой халькопирита и температурой Кюри $T_c=355\,$K. Обнаружено, что в $\rm Cd_{0.7}Mn_{0.3}GeAs_2$ вблизи температуры магнитного упорядочения индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью, сопровождающийся гистерезисом магнитной восприимчивости и магнетосопротивления.

Поступила в редакцию: 31.03.2010


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 91:9, 478–480

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024