О насыщении неустойчивости индуцированного рассеяния обыкновенной СВЧ волны в транспортном барьере токамака при электронном циклотронном нагреве плазмы

Рассмотрено насыщение низкопороговой параметрической распадной неустойчивости обыкновенной волны при электронном циклотронном резонансном нагреве в периферийном транспортном барьере токамака в результате стохастического затухания дочерней двумерно-локализованной косой ленгмюровской волны. Установлено, что в современных установках насыщение неустойчивости происходит на относительно низком уровне, не оказывая влияния на энергобаланс при нагреве плазмы. Показано, что для предполагаемых условий ввода сверхвысокочастотной мощности в токамаке-реакторе ITER эффективность нелинейной накачки будет превосходить максимальную эффективность стохастического затухания, что приведет к срыву амплитудно-зависимого насыщения и может вызвать значительную модификация профиля энерговыделения.