Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением

Впервые экспериментально продемонстрирована возможность получения силицена на модифицированных электронным облучением подложках CaF$_2$/Si(111). Показано, что формирующиеся под электронным пучком участки планарной поверхности CaSi$_2$ с гексагональной упаковкой могут быть использованы как естественная основа для последующего роста силицена. На таких поверхностях проведено осаждение кремния и методами атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света получено подтверждение формирования островков силицена.