RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив
Письма в ЖЭТФ, 2024, том 120, выпуск 11, страницы 889–894 (Mi jetpl7391)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Проявление послоевой локализации сингулярностей ван Хова в туннелировании между листами двухслойного графена

Е. Е. Вдовинa, Ю. Н. Ханинa, С. В. Морозовa, М. А. Кащенкоbc, А. А. Соколикd, К. С. Новоселовe

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
c Лаборатория физики программируемых функциональных материалов, Центр нейрофизики и нейроморфных технологий, 127495 Москва, Россия
d Институт спектроскопии РАН, 142190 Троицк, Москва, Россия
e Institute for Functional Intelligent Materials, National University of Singapore, Building S9, 4 Science Drive 2, 117544 Singapore

Аннотация: Исследовано туннелирование между двумя листами двухслойного графена, кристаллические решетки которых повернуты относительно друг друга на небольшой угол. Обнаружено аномальное поведение туннельной проводимости, обусловленное проявлением сингулярностей ван Хова на краях зоны проводимости и валентной зоны, пространственно локализованных в различных монослоях двухслойного графена.

Поступила в редакцию: 15.10.2024
Исправленный вариант: 06.11.2024
Принята в печать: 06.11.2024

DOI: 10.31857/S0370274X24120108


© МИАН, 2025