П. Г. Баранов, А. П. Бундакова, И. В. Боровых, С. Б. Орлинский, Р. Зондерван, Я. Шмидт, “Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов”, Письма в ЖЭТФ, 2007, том 86, выпуск 3,страницы 231

Эта публикация цитируется в 39 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Индуцированная оптическим и радиочастотным резонансным излучением спиновая поляризация вакансии Si в SiC: перспективном объекте для спектроскопии одиночных дефектов

П. Г. Баранов^a, А. П. Бундакова^a, И. В. Боровых^bc, С. Б. Орлинский^de, Р. Зондерван^e, Я. Шмидт^e

^a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
^b Fachbereich Physik, Universitat Osnabrueck, Germany
^c Laboratory of Biophysics, Wageningen University, The Netherlands
^d Казанский государственный университет, лаборатория МРС и КЭ
^e Huygens Laboratory, Department of Physics, Leiden University

Аннотация: Наблюдались две противоположные схемы оптического выстраивания населенностей спиновых подуровней в основном состоянии вакансии Si в SiC при облучении неполяризованным светом на частотах безфононных линий, зависящие от температуры, политипа кристалла и кристаллической позиции. Обнаружено гигантское, достигающее 2–3 раз, изменение интенсивности люминесценции безфононных линий в нулевом магнитном поле при поглощении радиочастного излучения с энергией, равной расщеплению тонкой структуры спиновых подуровней основного состояния вакансии, что открывает возможности для регистрации магнитного резонанса на одиночной вакансии.

PACS: 61.72.-y, 76.30.-v

Поступила в редакцию: 19.06.2007