Стационарный и высокочастотный дырочный транспорт в гетероструктурах $p$-Si/SiGe в ультраквантовом пределе

Комплексная высокочастотная (ВЧ), $\sigma^{\text{AC}}=\sigma_1-i\sigma_2$, и статическая $\sigma^{\text{DC}}$ проводимости, а также вольт-амперные характеристики (ВАХ) измерены в гетероструктурах $p$-Si/SiGe с низкой концентрацией дырок ($p=8.2\times10^{10}$ см$^{-2}$) при температурах $T=0.3\text{--}4.2\,$К в ультраквантовом пределе, когда число заполнения $\nu <1$. Для определения компонентов ВЧ проводимости использовалась акустическая бесконтактная методика в “гибридной конфигурации”, когда поверхностная акустическая волна (ПАВ) распространялась по поверхности пьезоэлектрика LiNbO$_3$, а гетероструктура прижималась к ней пружинкой. $\sigma_1$ и $\sigma_2$ определялись из величин затухания и скорости поверхностных акустических волн, одновременно измеренных при изменении магнитного поля. Обнаруженные особенности ВЧ проводимости: $\sigma_1\gg|\sigma_2|$, отрицательный знак $\sigma_2$, пороговый характер ВАХ, зависимость $I\propto\exp (-A/V^{0.3})$ в предпороговой области свидетельствуют в пользу образования в ультраквантовом пределе ($T=0.3\text{--}0.8$ К, $B>14$ Тл) запиннингованного вигнеровского кристалла (стекла).