Влияние диффузии на скорость распространения стационарных волн ударной ионизации в полупроводниках

Предложено обобщение известной теории стационарных плоских волн ударной ионизации в газах (U. Ebert et al., Phys. Rev. E 55, 1530 (1997)) на биполярный случай, характерный для полупроводников, где среду ионизуют горячие носители заряда обоих знаков. Вследствие этого скорость $u$ биполярных волн (в отличие от монополярных) определяется процессами в лидирующей области фронта при любых отличных от нуля скоростях ударной ионизации вне зависимости от направления распространения. Это свойство позволило получить аналитические формулы для $u$ как функции параметров материала, начального возмущения и напряженности внешнего поля путем анализа краевой задачи, линеаризованной вблизи неустойчивого состояния. В максимально достижимых полях (например, в стримерах) диффузия должна приводить к увеличению $u$ примерно в три раза по сравнению со средней скоростью дрейфа при типичных значениях параметров полупроводников.