Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$

Гомоэпитаксия GaAs в молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности (001)-$\beta(2\times4)$ рассматривается как двумерный фазовый переход первого рода от решеточного газа адсорбированных ростовых компонентов к двумерной кристаллической фазе. В рамках теории среднего поля фазового перехода определены параметры латерального взаимодействия между заполненными ячейками решеточного газа. Выявлены причины завершения роста полного монослоя (самоупорядочения), прежде чем начнется рост нового монослоя. Осцилляционные эксперименты подтверждают выводы предлагаемой теории фазового перехода в гомоэпитаксии.