Абсолютное отрицательное сопротивление в неравновесной двумерной электронной системе в сильном магнитном поле

Исследовано влияние электромагнитного излучения миллиметрового диапазона длин волн на сопротивление двумерного электронного газа в GaAs/AlAs гетероструктурах в сильном магнитном поле. Показано, что в изучаемой двумерной электронной системе в неравновесных условиях, создаваемых микроволновым излучением, возникают гигантские магнетополевые осцилляции сопротивления. Установлено, что при малых плотностях измерительного тока увеличение микроволновой мощности приводит к абсолютному отрицательному сопротивлению в основном минимуме этих осцилляций, расположенном вблизи циклотронного резонанса. Полученные в работе экспериментальные данные качественно согласуются с теорией многофотонного фотостимулированного примесного рассеяния [J. Iñarrea and G. Platero, Appl. Phys. Lett. 89, 052109 (2006)].