Холловский пробой в GaAs/AlAs гетероструктуре с модулированным легированием

Экспериментально исследовано влияние величины постоянного электрического тока $I_{dc}$ на электронный транспорт в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами при температуре $T=4.2$ К в магнитных полях $B$ до 2 Тл. Обнаружено резкое возрастание сопротивления $R_{xx}$ в магнитных полях выше некоторого критического значения $B_c$. Показано, что при прочих равных условиях величина $B_c$ тем меньше, чем больше ток $I_{dc}$. Обнаруженное явление качественно объясняется электрическим пробоем, возникающим в сверхрешеточных барьерах под действием холловского поля.