Дробные особенности в осцилляциях магнетосопротивления двумерных электронных систем под облучением

Вычислено магнетосопротивление двумерных электронных систем под микроволновым облучением, демонстрирующее осцилляционные особенности при дробных значениях отношения круговой частоты микроволнового излучения к циклотронной частоте $\omega/\omega_{\rm c}$. Расчет позволяет объяснить имеющиеся экспериментальные результаты неравновесным заполнением электронных состояний, возникающим вследствие однофотонных процессов, и предсказывает значения $\omega/\omega_{\rm c}$, вблизи которых ожидаются основные особенности в магнетосопротивлении. В рамках исследуемого механизма дробные особенности могут наблюдаться только в режиме, переходном от сильно перекрывающихся к разделенным уровням Ландау, и только на частотах излучения ниже пороговых частот, зависящих от величины дроби.