Виртуальный переход Андерсона в узкой примесной зоне легированных слоев $p$-GaAs/AlGaAs

В сильно легированных, некомпенсированных слоях квантовых ям $p$-GaAs/AlGaAs при низких температурах наблюдалась активационная проводимость с малыми энергиями активации, которая не объясняется известными механизмами ($\varepsilon_4$-проводимость). Мы связываем такое поведение с делокализацией электронных состояний в окрестности максимума узкой примесной зоны в смысле перехода Андерсона. Проводимость при этом осуществляется за счет активации неосновных носителей с уровня Ферми в указанную зону делокализованных состояний.