Аннотация:
Сравниваются дисперсионные зависимости симметричного диэлектрического волновода с графеновыми обкладками в двух режимах управления потенциалом графена с двух сторон структуры. Получено общее дисперсионное соотношение, численный анализ которого выявил возможность управления параметрами усиливаемых поверхностных мод. Проведен численный анализ решений дисперсионного соотношения в случае симметрии и асимметрии управляющего потенциала на графеновых слоях. В области отрицательной проводимости графена при наличии инверсной населенности уровней обнаружено решение, растущее по амплитуде во времени.
Ключевые слова:
допированный и инвертированный графен, терагерцовый диапазон частот, симметричная планарная структура, химпотенциал, действительная и мнимая части константы распространения, усиление.