Аннотация:
Структурные и электронные свойства одиночного комплекса $\mathrm{Y@C_{82}}$, структуры, состоящей из двух комплексов $\mathrm{Y@C_{82}}$, а также данного комплекса в периодических условиях были исследованы в рамках DFT-GGA–подхода. Моделирование эндоэдральных металлофуллеренов $\mathrm{Y@C_{82}}$ показало возможность формирования из них стабильных кристаллических структур, которые обладают сегнетоэлектрическими свойствами, что может быть применено в электронике и сегнетоэлектрической памяти.
Ключевые слова:эндоэдральные металлофуллерены $\mathrm{Y@C_{82}}$, сегнетоэлектрические свойства, метод функционала плотности.