Влияние образования ионных дефектов на поглощение света и оптический пробой прозрачных сред

Проведен теоретический анализ роста наведенного поглощения в полупроводнике при тепловой генерации ионных дефектов под действием света и условий возникновения в материале тепловой неустойчивости. Предложенная модель позволила проследить влияние термохимических процессов на оптический пробой и выявить условия перехода от полупроводникового механизма оптического пробоя к термохимическому.